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합격자소서
서류합격 자소서
2023상반기
인턴
삼성전자-메모리사업부 / 반도체공정기술
삼성전자 DS 합격 자소서
2024.01.29
19:07
ky***
조회수 309
댓글 0
추천 0
지원스펙
학력 전공 학점 나이
4년제 재학
서울시립대학교(제1캠퍼스)
  물리
총 평점 3.7 / 4.5
0세
어학점수 인턴 및 연구생 경험 실습 및 기타 교육 경험 자격증
오픽 IH
0회 0회
-
합격 자소서
자소서 항목 삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오.
작성 내용 [차세대 반도체 전문가]
제가 삼성전자 메모리 사업부에 지원한 이유는 반도체 메모리 공정에서 반도체 공정기술 개발 및 고도화를 통해 차세대 반도체 전문가가 되는 꿈을 이루기 위해서입니다.
삼성전자는 전 세계 메모리 반도체 업계에서 점유율 1위를 달리고 있는 기업입니다. 올해 5세대 10나노 D램을 세계 최초로 양산할 계획을 발표하는 등 반도체 기술과 점유율 모두 세계 최전선에 서 있습니다. 그렇기에 삼성전자에서 배우고 성장한다면 제 목표를 이룰 수 있다고 생각했습니다.
저는 학부 연구생 과정 중에 반도체에 대한 관심을 가지게 되었습니다. 특히 여러 parameter를 바꿔가며 실험하고 분석하여 더 나은 결과물을 얻게 되는 공정 과정에 큰 매력을 느꼈습니다. 그리고 다양한 실험 수업들과 반도체 소자 및 공정 관련 수업을 수강하며 제 적성이 반도체 공정과 잘 맞는다고 확신하게 되었습니다. 그래서 공정기술을 개발하고 기반기술을 연구하는 공정기술업무에서 잘할 수 있다는 자신감을 가지고 있습니다.
학부 연구생으로 반도체 물질에 관한 연구를 진행하였고 XPS, AFM, Raman, DC-sputter 등 여러 기구를 사용하여 데이터를 분석한 경험 역시 가지고 있습니다. 이런 경험을 살려 반도체 기술 발전에 이바지할 것입니다. 반도체 업계에서 삼성전자의 입지를 더욱 공고히 하는데 한 축을 담당하는 공정 기술 엔지니어가 되는 것이 제 목표입니다.
자소서 항목 본인의 성장과정을 간략히 기술하되 현재의 자신에게 가장 큰 영향을 끼친 사건, 인물 등을 포함하여 기술하시기 바랍니다. (※작품속 가상인물도 가능)
작성 내용 [소통과 협업의 중요성]
방학 기간 중 연구 프로그램에서 그래핀 실험을 진행했었습니다. 4명이 같은 조가 되었고 그래핀을 박리하여 다른 물질과 쌓았을 때 어떤 물리적 현상이 생기는가를 목표로 진행하였습니다. Monolayer의 그래핀을 얻는 것이 최우선 과제였고 처음엔 각자의 방법으로 열심히 해보았습니다. 그러나 그래핀 박리는 상당히 어려웠고 한번 박리를 진행하였을 때 얻을 수 있는 그래핀의 양도 적었습니다. 또한, 연구실 여건상 동시에 두 사람만 실험을 진행할 수 있었고 팀원 각각의 일정도 고려해야 했습니다. 그런 공간적, 시간적인 문제 때문에 연구 진행은 계속 늦어졌습니다.
그래서 저희는 회의를 통해 박리 수율을 높일 방법을 찾기로 하였습니다. 박리 결과에 영향을 주는 변수로는 온도, 테이프 종류, 보관 방법, 기판 종류가 있다고 결정짓고 각각 하나의 변수를 맡아 실험을 진행하였습니다. 저의 경우 온도를 맡아 10도 단위로 바꿔가며 박리를 진행하여 수율이 가장 높은 온도를 찾아냈습니다. 그렇게 4가지 변수들을 고려하여 최적의 방식을 찾을 수 있었고 수율을 50% 향상할 수 있었습니다. 그 이후로는 팀원 모두 찾은 방식을 이용해 실험을 진행했고 원하는 sample을 얻을 수 있었습니다.
이 경험을 통해 소통과 협업의 중요성을 알 수 있었습니다. 개인이 혼자 일을 진행하는 것보다 팀원들과 회의하고 분업하며 진행하는 것이 더 효율적이라는 사실을 배웠습니다. 공정 업무에서 다양한 이해관계의 팀들과 문제 해결을 위해 소통하고 협업하여 각자의 역할을 잘 수행해나감으로써 수율 향상에 기여하겠습니다.
[실험을 통해 배운 문제 해결 방식]
연구실에서 박막을 증착하고 분석하는 실험을 진행했었습니다. 그중 증착된 박막의 물성을 조사하는 과정에서 문제점을 발견했습니다. 박막을 XPS로 측정하고 결과를 피팅하여 분석하니 산소 비율이 높다는 점이 문제였습니다.
처음엔 박막이 대기 중에 노출되었을 때 표면에 발생하는 산화가 문제라고 생각하고 열처리를 통해 산화를 줄이려 했으나 더 악화된 결과를 얻었습니다. 그래서 원인부터 다시 파악하자는 생각을 하였습니다. 산소가 포함될 수 있는 과정을 고려해보니 고진공 상태의 chamber에서 이루어지는 sputtering이지만 잔여 산소가 존재할 것이고 그것이 증착 과정에서 포함될 것이라는 결론을 도출해냈습니다. 원인을 파악하고 산소 비율을 낮추는 방법을 찾아봤습니다. 조사한 논문에서 chamber 내부 산소는 forming gas를 이용한 증착을 통해 30% 정도 줄일 수 있다는 것을 확인했습니다. 실제로 실험을 진행하여 확인한 결과 수소를 포함한 증착에서 논문과 비슷한 수준의 산소 감소 효과를 얻을 수 있었고 이런 과정을 통해 이후의 실험에서는 더 좋은 결과를 낼 수 있었습니다.
위 경험을 통해 문제에 부딪혔을 때 그것에 대한 파악이 우선되어야 그에 맞는 해결책도 찾을 수 있다는 사실을 체득하였습니다. 이는 앞으로 반도체 공정 업무 중에 발생할 문제들을 잘 헤쳐나갈 수 있게 해주는 밑거름이 될 것이라 생각합니다.
자소서 항목 최근 사회이슈 중 중요하다고 생각되는 한가지를 선택하고 이에 관한 자신의 견해를 기술해 주시기 바랍니다.
작성 내용 [Chat GPT와 AI 발전의 가속화]
Chat GPT의 등장이 많은 파장을 일으키고 있습니다. 2022년 12월 말에 서비스를 시작한 이래로 2개월 만에 월간 사용자 수 1억 명에 도달했습니다. 많은 사람이 다양한 곳에서 Chat GPT를 이용하고 있습니다. 이런 AI 열풍 속에서 MS는 Chat GPT를 개발한 OpenAI와 파트너십을 체결하고 모든 MS 제품에 AI 기능을 넣을 계획을 발표했습니다. 이에 위기를 느낀 구글 역시 자사 언어모델을 기반으로 한 대화형 AI 서비스 bard 출시를 예고하였으며 국내에서도 네이버, 카카오 등 주요 IT 기업이 AI 경쟁에 참여할 준비를 발표하였습니다.
그러나 AI가 가지고 있는 표절과 지적재산권 침해 등의 윤리적 문제도 대두되고 있습니다. 창작자들은 AI 생성 이미지 등록 금지 시위를 벌이고 여러 학회에서 AI 도구를 이용한 논문은 금지하는 등 새로운 기술의 등장으로 혼란스러운 상황이 계속되고 있습니다. 이런 상황에서 제 생각은 앞으로 AI의 발전은 가속화될 것이고 막을 수 없다는 것입니다. 많은 직업이 AI에 의해 대체될 것이고 AI와 관련된 새로운 직업들이 생겨날 것입니다. 그렇기에 이를 기회로 생각하고 인정하며 잘 활용하는 것이 바람직하다고 생각합니다.
AI 기술을 기본적으로 엄청난 양의 데이터의 처리가 필요합니다. 이는 전 세계적인 D램의 수요 증가로 이어질 것이라는 예상이 지배적입니다. 세계 최고의 메모리 반도체 생산 기업인 삼성전자는 업계 최선단의 12나노급 공정으로 16GB DDR5 D램 기술을 보유하고 있습니다. 또한, 메모리 반도체와 인공지능 프로세서를 하나로 결합한 HBM-PIM을 세계 최초로 개발하였습니다. 해결해야 할 과제가 많은 반도체 업계의 상황에서 Chat GPT가 불고 온 AI 열풍이 게임 체인저가 될 것이라 예상합니다. 삼성전자는 이에 맞춰 고성능 및 고용량 메모리 개발에 집중한다면 AI 시장은 좋은 기회의 장이 될 것입니다.
자소서 항목 지원한 직무 관련 본인이 갖고 있는 전문지식/경험(심화전공, 프로젝트, 논문, 공모전 등)을 작성하고, 이를 바탕으로 본인이 지원 직무에 적합한 사유를 구체적으로 서술해 주시기 바랍니다.
작성 내용 [물질 개발 및 분석 연구 참여]
삼성전자 메모리 공정 기술 분야는 8대 공정기술, 기반기술을 연구/개발하여 생산성을 향상시키는 직무입니다. 저는 8대 공정에 대해 꾸준한 학습을 통한 해박한 지식을 가지고 있고 연구를 해본 경험 등으로 공정 기술 엔지니어가 되기 위한 준비가 되어 있습니다.
우선 고체 물리, 양자역학 등을 수강하며 물리학적인 지식을 쌓았고 ‘나노 공정 기술 입문’, ‘전자물리 소자의 기초’ 등 반도체 공정과 소자 관련 수업을 수강하고 있습니다.
또한 현재 학부 연구생으로 스마트 박막 연구실에서 차세대 반도체 전극 물질 연구에 참여하고 있습니다. 저는 DC-sputter를 통한 Hafnium nitride (HfN) 증착을 맡아 진행 중입니다. 연구 방향과 실험 계획을 스스로 설계해야 했기 때문에 관련 논문을 조사하였고 HfN의 낮은 비저항 값에 초점을 잡았습니다. 실험을 시작하고 Parameter들을 바꾸어 가며 수십 차례 실험을 진행하였습니다. 그 결과 최적의 증착 조건을 찾을 수 있었고 낮은 비저항성을 가진 HfN 박막을 얻는 데 성공하였습니다. 얻은 결과는 선행 논문들과 비교하여도 낮은 비저항 값으로 기대 이상의 성과를 얻을 수 있었습니다.
완성된 박막은 XPS, UV-Vis, Raman 등을 이용해 여러 가지 물성을 측정하였습니다. 또한 AFM 분석을 통해 물질의 roughness와 비저항성이 연관 있음을 파악하였습니다. XRD, SEM을 이용한 측정을 통해 박막의 결정성을 파악하였으며 lithography 과정을 통한 hole 측정도 진행하였습니다. 실험 결과들을 정리하여 sci급 저널에 논문을 투고하는 것이 최종 목표이며 이후에 다른 물질에 대한 연구도 계획하고 있습니다.
실험을 설계하고 진행하여 결과를 성취해냈으며 실험 과정에서 여러 분석기구를 공부하고 사용해 보았습니다. 이런 경험을 통해 공정 기술 엔지니어로서 수율 향상과 공정 최적화를 해 나갈 준비가 되어 있습니다. 앞으로 삼성전자 메모리반도체 기술 발전에 이바지하겠습니다.
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