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TEL 서합 자소서
2024.03.10
20:34
bullson***
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지원스펙
학력 전공 학점 나이
4년제 졸업   전기전자
총 평점 3.7 / 4.5
전공 평점 3.5
27세
어학점수 인턴 및 연구생 경험 실습 및 기타 교육 경험 자격증
오픽 AL
1회 5회
없음
합격 자소서
자소서 항목 1. 도쿄일렉트론코리아에 지원하게 된 계기와 지원하신 직무에 대한 생각을 기술해주시기 바랍니다. (최소 100자, 최대 500자 입력가능)
작성 내용 [해결사 PE]
요구 spec에 부합하도록 공정 파라미터를 최적화하는 공정 엔지니어가 꿈이며, 첫 발걸음을 TEL에서 내디뎌야 하는 이유가 있습니다. 비메모리향 고객사 비중도 늘리며 사업 확장에 힘쓰기 때문입니다. 꾸준한 투자를 받는 업무 환경에서 커리어를 펼칠 수 있으리라 확신했습니다.

Fab에서 발생한 공정 이슈를 해결하고 새로운 레시피를 개발하는 PE로서 TEL에 기여하고 싶습니다. 어릴적 1000파츠의 레고블록으로 친구들이 부탁한 모형을 조립해 줬을 때의 찬사가 보람찼습니다. 학부 연구생 때는 Process Flow를 설계하고 공정 이슈를 트러블슈팅했습니다. 이처럼 고객사의 공정 이슈를 높은 신뢰도로 해결하기 위한 문제해결 능력을 함양하려 노력했습니다.

높은 주인의식과 AL회화능력으로 고객사와 소통하고, 공정 data 분석과 Process Flow 개선을 통해 장비/공정 효율을 극대화하겠습니다. 맞춤 솔루션을 제공해 세계 유수의 메이커에서 저희를 열망하도록 하겠습니다.
자소서 항목 2. 성장과정과 학창시절, 성격의 장단점에 대해 기술해주시기 바랍니다. (최소 100자, 최대 500자 입력가능)
작성 내용 제 단점은 초반에 상대가 어떤 것을 중요시하는지 탐색하기 위해 조심스러운 편이기에, 낯을 가리는 성격으로 보일 수 있다는 점입니다. 이를 극복하기 위해 밝은 인상으로 희석하여 상대에게 집중하는 세심함으로 승화했습니다.

[생명을 구하다]
제 장점은 열정적인 성격입니다. 사회복무요원으로 강변역에 파견되어 지내면서 언제나 열정적인 대리님께 감화되어 저도 바뀌려 노력했습니다. 가끔 대리님처럼 근무표를 초과해 승강장을 순찰했는데 어느 날 승객 한 분이 지하철 스크린도어를 넘어가려는 돌발행동을 했습니다. 위험을 무릅쓰고 달려들어 열차가 들어오기 직전에 끌어내릴 수 있었고 경찰 인계 후 들어보니 극단적인 선택을 하려던 분이었습니다. 제가 맡은 업무에 책임감을 가지고 열정적으로 임했기에 소중한 생명을 구할 수 있었습니다. 이 공로로 병무청장상을 받았고 항상 능동적인 삶의 자세를 갖추게 되었습니다. 시민을 구하려 뛰어드는 CCTV 영상의 제 모습에 모두 저를 진정한 동료로서 신뢰하게 되었습니다.
자소서 항목 3. 지원하신 직무와 관련하여 습득한 지식과 경험에 대해 기술해주시기 바랍니다. (최소 100자, 최대 500자 입력가능)
작성 내용 최적의 공정 결과를 얻으려면 Process Flow의 유기적인 짜임새를 알아야 합니다. 요구 spec을 만족하며 공정 효율을 높이기 위한 설계도이기 때문입니다.

학부 인턴으로 초고온 연소에서 방출되는 광자 에너지 하베스팅 연구에 참여했습니다. InP웨이퍼에 InGaAs를 성장한 셀에 리플렉터로 증착한 Au가 기판과 접합이 안 되는 문제가 생겼기에, 제 일처럼 해결하려 노력했습니다. SU-8 도포는 열적 안정성이 떨어져 약한 접합특성을 고려해 process flow를 수정했습니다. 제조 시간 단축과 요구 spec 충족을 위한 솔루션으로 Au-Au본딩을 도입했습니다. InGaAs와 Au 사이에 Ti를 열증착법으로 depo해 adhesion을 보강했고 기판에도 증착해 Au-Au본딩을 완성했습니다.

기존 Au층 THK의 절반씩을 셀과 기판에 같이 증착하면 되니 시간이 2배 단축됐고, 추후 etch시에도 wrinkle 없이 강력하게 본딩되었습니다.
자소서 항목 4. 앞으로의 계획과 포부에 대해 기술해주시기 바랍니다. (최소 100자, 최대 500자 입력가능)
작성 내용 공정 프로세스를 개량해 생산성을 최대화하는 PE로 거듭나겠습니다.

일례로, CTF 제작시 ALD 레시피에서 cycle time을 증가시키면 purge 효과 저하로 CVD reaction이 일어나서 박막의 step coverage가 나빠졌습니다. 따라서 공정온도를 감소시켜 ALD window를 최적화해 ALD의 자기제한적 반응을 유도하며 PE의 꿈을 키웠습니다.

반도체의 핵심이 에치로 전환되며 미세선폭을 위한 멀티패터닝의 발전에도, high AR profile에서 라디칼이 바닥까지 도달하기 어려워 스케일링의 한계로 작용했습니다. 이를 위해 DC와 RF를 함께 탑재한 hybrid oxide etcher를 개발하여, RF 제너레이터 출력을 높일 시의 장비면적 footprint 상승과 arcing 문제를 해결한 점이 놀라웠습니다.

이렇게 독자적인 기술로 NAND개발에 기여했듯이 저도 능동적인 문제해결능력을 통해 1990년부터 꾸준히 상위 5대 장비사로 군림해온 TEL에 기여하겠습니다.
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